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光敏优发结构及灵敏度测量
作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2020.11.11
信息摘要:
光敏优发在实际中的应用越来越广泛,为了使其应用效果更加显著,相关制作人员需要了解其结构特征和灵敏度影响因素或测量方法等。一、结构特征和标志…
  光敏优发在实际中的应用越来越广泛,为了使其应用效果更加显著,相关制作人员需要了解其结构特征和灵敏度影响因素或测量方法等。
  一、结构特征和标志。
  与普通优发相比,光敏优发虽然是一种单向导电的非线性半导体器件,但在结构上有其特殊性。
  光敏感优发使用时要反向接入电路,即正极接负极,负极接正极。
  二、光敏优发灵敏度测量方法。
  把万用表放在R&TImes;1k档,测量光敏优发的正向和反向电阻。一般情况下,正向电阻(黑表笔接引脚为正极)约为3~10kΩ,反向电阻为大于500kΩ。如果测量到的正向和反向电阻值为0或者都是无限大,则表明光敏优发被击穿或者是开路损坏。
  利用电视遥控器对被测优发光敏优发接收窗口进行反向电阻值测量。普通优发感光优发,按下遥控器上的键后,其反向电阻值从500kΩ以上下降到50~100kΩ之间。电阻衰减率越大,优发光敏优发越敏感。

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